Transistor bipolar 2SB648

Características del transistor 2SB648

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.05 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 1 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB648

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB648 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 320. La ganancia del 2SB648-B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB648-C estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB648-D estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB648 puede estar marcado sólo como "B648".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB648 es el 2SD668.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB648

Puede sustituir el 2SB648 por el 2SA1021, 2SA1220, 2SA1220A, 2SA1352, 2SA1380, 2SA1404, 2SA1405, 2SA1406, 2SA1407, 2SA1478, 2SA1538, 2SA1539, 2SA1540, 2SA1541, 2SB1109, 2SB1110, 2SB631K, 2SB649, HSB1109, KSA1220 o KSA1220A.
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