Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del 2SB648
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor 2SB648 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 320. La ganancia del 2SB648-B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB648-C estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB648-D estará en el rango de 160 a 320.
Marcado
A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB648 puede estar marcado sólo como "B648".
Transistor NPN complementario
El transistor NPN complementario del 2SB648 es el 2SD668.
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB648