Transistor bipolar 2SD610-Q

Características del transistor 2SD610-Q

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 250 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 5 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SD610-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD610-Q puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SD610 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SD610-R estará en el rango de 60 a 120, para el 2SD610-S estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD610-Q puede estar marcado sólo como "D610-Q".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD610-Q es el 2SB630-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD610-Q

Puede sustituir el 2SD610-Q por el 2SC2898, 2SC3310, 2SC4242, 2SC4382, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, BUX84, MJE13070, MJE15032, MJE15032G, MJE15034 o MJE15034G.
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