Transistor bipolar 2SB630-S

Características del transistor 2SB630-S

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 80
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB630-S

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB630-S puede tener una ganancia de corriente de 40 a 80. La ganancia del 2SB630 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SB630-Q estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB630-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB630-S puede estar marcado sólo como "B630-S".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB630-S es el 2SD610-S.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB630-S

Puede sustituir el 2SB630-S por el 2SA1009, 2SA1009-K, 2SA1009A, 2SA1009A-K, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 o MJE5852G.
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