Transistor bipolar 2SB1299Q

Características del transistor 2SB1299Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 300 a 500
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SB1299Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1299Q puede tener una ganancia de corriente de 300 a 500. La ganancia del 2SB1299 estará en el rango de 300 a 700, para el 2SB1299P estará en el rango de 400 a 700.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1299Q puede estar marcado sólo como "B1299Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1299Q es el 2SD1273Q.

Versión SMD del transistor 2SB1299Q

El BDP950 (SOT-223) y NZT660A (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB1299Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1299Q

Puede sustituir el 2SB1299Q por el 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 o MJE15029G.
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