Transistor bipolar NZT660A
Características del transistor NZT660A
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 2 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 250 a 550
- Frecuencia máxima de trabajo: 75 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-223
Diagrama de pines del NZT660A
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor NZT660A
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