Transistor bipolar NZT660A

Características del transistor NZT660A

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 250 a 550
  • Frecuencia máxima de trabajo: 75 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-223

Diagrama de pines del NZT660A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del NZT660A es el NZT560A.

Sustitución y equivalentes para el transistor NZT660A

Puede sustituir el NZT660A por el NZT45H8.
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