Transistor bipolar 2SB1090-M

Características del transistor 2SB1090-M

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 80
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB1090-M

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1090-M puede tener una ganancia de corriente de 40 a 80. La ganancia del 2SB1090 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SB1090-K estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1090-L estará en el rango de 80 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1090-M puede estar marcado sólo como "B1090-M".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1090-M es el 2SD1568-M.

Versión SMD del transistor 2SB1090-M

El BDP954 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB1090-M.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1090-M

Puede sustituir el 2SB1090-M por el 2N6475, 2N6476, 2SA1010, 2SA1010M, 2SB1016, 2SB1016-R, 2SB1367, 2SB1367-R, 2SB595, 2SB595-R, 2SB703A, 2SB703A-S, 2SB995, 2SB995-R, BD244C, BD540C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010R, KTB1367, KTB1367R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031, MJF15031G o NTE292.
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