Transistor bipolar 2SB1009-P

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -32 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
• Disipación de Potencia Máxima: 10 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 82 a 180
• Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB1009-P puede tener una ganancia de corriente de 82 a 180. La ganancia del 2SB1009 estará en el rango de 82 a 390, para el 2SB1009-Q estará en el rango de 120 a 270, para el 2SB1009-R estará en el rango de 180 a 390.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1009-P puede estar marcado sólo como "B1009-P".El transistor NPN complementario del 2SB1009-P es el 2SD1380-P.Puede sustituir el 2SB1009-P por el 2SA1214, 2SA1217, 2SA1359, 2SA715, 2SB1165, 2SB1166, 2SB744, 2SB744A, BD132, BD176, BD178, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD376, BD378, BD786, BD788, BD788G, KSB744, KSB744A, KSE170, KSE171, KTA1715, MJE170, MJE170G, MJE171, MJE171G, MJE230, MJE232, MJE233, MJE235, MJE371 o MJE371G.