Bipolartransistor PMBT5550

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
• Verlustleistung, max: 0.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Rauschzahl, max: 10 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23
• Electrically Similar to the Popular 2N5550 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der PMBT5550-Transistor ist als "p1F" gekennzeichnet.Der 2N5550 ist die TO-92-Version des PMBT5550.Sie können den Transistor PMBT5550 durch einen FMMT625, KST43, KST5550 oder MMBT5550 ersetzen.