Bipolartransistor MPS8050S-D

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 190 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23
• Electrically Similar to the Popular MPS8050D transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor MPS8050S-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des MPS8050S liegt im Bereich von 85 bis 300, die des MPS8050S-B im Bereich von 85 bis 160, die des MPS8050S-C im Bereich von 120 bis 200.Der MPS8050S-D-Transistor ist als "BHD" gekennzeichnet.Der komplementäre PNP-Transistor zum MPS8050S-D ist der MPS8550S-D.Der MPS8050D ist die TO-92-Version des MPS8050S-D.Sie können den Transistor MPS8050S-D durch einen FMMT619 ersetzen.