Bipolartransistor MMBT100A

Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT100A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 75 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular PN100A transistor

Pinbelegung des MMBT100A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MMBT100A-Transistor ist als "NA1" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MMBT100A ist der MMBT200A.

Transistor MMBT100A im TO-92-Gehäuse

Der PN100A ist die TO-92-Version des MMBT100A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT100A

Sie können den Transistor MMBT100A durch einen 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, BC817, BC817-40, BCW66, BCW66H, BCX19, FMMT619, FMMT620, FMMTA05, FMMTA06, KST05, KST06, MMBT6428, MMBTA05, MMBTA06, PMBTA06, SMBTA05 oder SMBTA06 ersetzen.
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