Bipolartransistor MJL21196

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJL21196

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-264
  • Electrically Similar to the Popular MJ21196 transistor

Pinbelegung des MJL21196

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJL21196

Sie können den Transistor MJL21196 durch einen 2SD1313, MJL21194, MJL21194G, MJL21196G, MJW21194, MJW21194G, MJW21196, MJW21196G, NJW21194 oder NJW21194G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJL21196G-Transistor ist die bleifreie Version des MJL21196.
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