Bipolartransistor MJW21196G

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
• Verlustleistung, max: 200 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-247
• Electrically Similar to the Popular MJ21196G transistor
• Der MJW21196G ist die bleifreie Version des MJW21196-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJW21196G ist der MJW21195.Sie können den Transistor MJW21196G durch einen 2SD1313, MJW21194, MJW21194G, MJW21196, NJW21194 oder NJW21194G ersetzen.