Bipolartransistor MJW21196

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJW21196

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247
  • Electrically Similar to the Popular MJ21196 transistor

Pinbelegung des MJW21196

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJW21196

Sie können den Transistor MJW21196 durch einen 2SD1313, MJW21194, MJW21194G, MJW21196G, NJW21194 oder NJW21194G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJW21196G-Transistor ist die bleifreie Version des MJW21196.
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