Bipolartransistor MJW21196
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJW21196
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
- Verlustleistung, max: 200 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 80
- Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-247
- Electrically Similar to the Popular MJ21196 transistor
Pinbelegung des MJW21196
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJW21196
Bleifreie Version
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