Bipolartransistor MJ12020

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ12020

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 850 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 5
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ12020

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ12020

Sie können den Transistor MJ12020 durch einen 2SC2429A, 2SC2965, 2SC3044A, 2SC3046, 2SC3058A, 2SD820, 2SD821, 2SD822, 2SD870, 2SD871, BUX47A, BUX48A, BUX48B, BUX48C, BUX81, BUX83, MJ12004, MJ12005, MJ12021, MJ12022, MJ13071, MJ16002, MJ16004, MJ16006, MJ16008, MJ8502, MJ8503, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.
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