Bipolartransistor MJ12020
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ12020
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 850 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
- Verlustleistung, max: 125 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 5
- Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des MJ12020
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ12020
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