Bipolartransistor BUX81

Elektrische Eigenschaften des Transistors BUX81

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1000 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30
  • Übergangsfrequenz, min: 8 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BUX81

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com