Bipolartransistor MJ12005

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ12005

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 750 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 12
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ12005

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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