Bipolartransistor MJ16006

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 450 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 850 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 150 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 5
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor MJ16006 durch einen 2SC2429A, 2SC2965, 2SC3046, 2SC3058A, BUX47A, BUX48A, BUX48B, BUX48C, BUX81, MJ12005, MJ12021, MJ12022, MJ16008, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.