Bipolartransistor 2SD821

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD821

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 600 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 1500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SD821

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD821-Transistor könnte nur mit "D821" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD821

Sie können den Transistor 2SD821 durch einen 2SD822, 2SD871, BUX48B, BUX48C, MJ12005, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.
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