Bipolartransistor KTD863-O
Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD863-O
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
- Verlustleistung, max: 1 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
- Gehäuse: TO-92MOD
- Electrically Similar to the Popular 2SD863-D transistor
Pinbelegung des KTD863-O
Klassifizierung von hFE
SMD-Version des Transistors KTD863-O
Transistor KTD863-O im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD863-O
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com