Bipolartransistor 2SD667B

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
• Verlustleistung, max: 0.9 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92MOD

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD667B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD667 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SD667C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD667D im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD667B-Transistor könnte nur mit "D667B" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD667B ist der 2SB647B.Sie können den Transistor 2SD667B durch einen 2SC2383, 2SC2383R, 2SC3228, 2SC3228-R, 2SD667A, 2SD667AB, KSC2383, KSC2383R, KTC3228 oder KTC3228R ersetzen.