Bipolartransistor KSC945R

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC945R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSC945R

Der KSC945R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSC945CR (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSC945R.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC945R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC945 liegt im Bereich von 40 bis 700, die des KSC945G im Bereich von 200 bis 400, die des KSC945L im Bereich von 350 bis 700, die des KSC945O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC945Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC945R ist der KSA733R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC945R

Sie können den Transistor KSC945R durch einen 2SC1008, 2SC1008R, BC537, BC537-6, BC538, BC538-6, KSC1008, KSC1008R, PN3568, ZTX452 oder ZTX453 ersetzen.
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