Bipolartransistor KSC1009R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SC1009R transistor

Der KSC1009R wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSC1009CR (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSC1009R.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSC1009R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1009 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC1009G im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1009O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1009Y im Bereich von 120 bis 240.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1009R ist der KSA709G.Der 2SC1009R ist die TO-92-Version des KSC1009R.Sie können den Transistor KSC1009R durch einen 2SC1009 oder 2SC1009R ersetzen.