Bipolartransistor KSC1009O

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 140
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SC1009O transistor

Der KSC1009O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSC1009CO (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSC1009O.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSC1009O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1009 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC1009G im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1009R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC1009Y im Bereich von 120 bis 240.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1009O ist der KSA709O.Der KST5550 (SOT-23) und MMBT5550 (SOT-23) ist die SMD-Version des KSC1009O-Transistors.Der 2SC1009O ist die TO-92-Version des KSC1009O.Sie können den Transistor KSC1009O durch einen 2SC1009 oder 2SC1009O ersetzen.