Bipolartransistor MMBT5550

Elektrische Eigenschaften des Transistors MMBT5550

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des MMBT5550

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der MMBT5550-Transistor ist als "1F" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MMBT5550

Sie können den Transistor MMBT5550 durch einen FMMT625 oder KST5550 ersetzen.
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