Bipolartransistor KST5550
Elektrische Eigenschaften des Transistors KST5550
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.6 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 250
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular 2N5550 transistor
Pinbelegung des KST5550
Kennzeichnung
Transistor KST5550 im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor KST5550
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