Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1009O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
Verlustleistung, max: 0.8 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1009O
Der 2SC1009O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1009O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1009 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des 2SC1009G im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC1009R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SC1009Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1009O-Transistor könnte nur mit "C1009O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1009O ist der 2SA709O.
SMD-Version des Transistors 2SC1009O
Der KST5550 (SOT-23) und MMBT5550 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1009O-Transistors.
