Bipolartransistor FJX733R

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJX733R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Rauschzahl, max: 2.8 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des FJX733R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJX733R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJX733 liegt im Bereich von 40 bis 700, die des FJX733G im Bereich von 200 bis 400, die des FJX733L im Bereich von 350 bis 700, die des FJX733O im Bereich von 70 bis 140, die des FJX733Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Der FJX733R-Transistor ist als "SBR" gekennzeichnet.
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