Bipolartransistor KSA708CR

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA708CR

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSA708CR

Der KSA708CR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSA708R.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA708CR kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA708C liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSA708CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSA708CY im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA708CR ist der KSC1008CR.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA708CR

Sie können den Transistor KSA708CR durch einen KSA931 oder KSA931R ersetzen.
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