Bipolartransistor BUX82

Elektrische Eigenschaften des Transistors BUX82

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 800 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
Verlustleistung, max: 75 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 30
Übergangsfrequenz, min: 6 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BUX82

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BUX82

Sie können den Transistor BUX82 durch einen BUX80, BUX81, BUX83, MJ10001 oder MJ423 ersetzen.

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