Bipolartransistor BUX80

Elektrische Eigenschaften des Transistors BUX80

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 800 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30
  • Übergangsfrequenz, min: 8 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BUX80

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BUX80

Sie können den Transistor BUX80 durch einen BUX81, MJ10001 oder MJ423 ersetzen.
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