Bipolartransistor MJ10001

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ10001

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 20 A
  • Verlustleistung, max: 175 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 600
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ10001

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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