Bipolartransistor MJ423

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ423

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 90
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ423

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ423

Sie können den Transistor MJ423 durch einen 2N6678, BUX48, BUX48A, BUX80, BUX81, BUY69A, BUY70A, MJ12022, MJ8504 oder MJ8505 ersetzen.
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