Bipolartransistor BDW83B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW83B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des BDW83B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW83B ist der BDW84B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW83B

Sie können den Transistor BDW83B durch einen BD245B, BD245C, BD249B, BD249C, BDW83C, BDW83D oder TIP35CA ersetzen.
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