Bipolartransistor BDW51C

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750 bis 150
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW51C ist der BDW52C.Sie können den Transistor BDW51C durch einen 2N6284, 2N6284G, 2SC1584, 2SC1585, 2SC1586, 2SC2431, 2SC2433, 2SD753, 2SD753-C, BD317, MJ11018, MJ11020, MJ15001, MJ15001G, MJ15003 oder MJ15003G ersetzen.