Bipolartransistor MJ11018

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJ11018

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 175 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 15000
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des MJ11018

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11018 ist der MJ11017.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJ11018

Sie können den Transistor MJ11018 durch einen 2N6676, 2SC1585, 2SC1586, MJ11020, MJ11022 oder MJ11022G ersetzen.
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