Bipolartransistor MJ11020

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
• Verlustleistung, max: 175 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 400 bis 15000
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJ11020 ist der MJ11019.Sie können den Transistor MJ11020 durch einen 2N6676, 2N6677, 2N6678, 2SC1586, BUX48, MJ11022 oder MJ11022G ersetzen.