Bipolartransistor BDT30CF

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT30CF

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -140 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 19 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT30C transistor

Pinbelegung des BDT30CF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT30CF ist der BDT29CF.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT30CF

Sie können den Transistor BDT30CF durch einen 2N6475, 2N6476, BD712, BD912, BDT42C, BDT42CF, MJE5170, MJE5171, MJE5172, NTE292, TIP30C, TIP30CG, TIP42C, TIP42CF oder TIP42CG ersetzen.
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