Bipolartransistor BDT30CF
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT30CF
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -140 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 19 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 75
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular BDT30C transistor
Pinbelegung des BDT30CF
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT30CF
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