Bipolartransistor BD879

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD879

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD879

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD879 ist der BD880.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD879

Sie können den Transistor BD879 durch einen 2SD1509, 2SD1692, 2SD1692-K, 2SD1692-L, 2SD1692-M, 2SD986, 2SD986-K, 2SD986-L, 2SD986-M, KSB986, KSB986-O, KSB986-R, KSB986-Y, KSD1692, KSD1692-G, KSD1692-O oder KSD1692-Y ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com