Bipolartransistor BCW60D

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW60D

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 32 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 380 bis 630
  • Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
  • Rauschzahl, max: 6 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW60D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCW60D ist der BCW61D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW60D

Sie können den Transistor BCW60D durch einen 2SC2712, 2SC2712-BL, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, 2SC4738, 2SC4738-BL, BC847, BC850, BCW65, BCW65C, BCW66, BCW66H, BCX70K, FMMT491A, FMMT619, FMMTA05, KST05, KTC3875, KTC3875BL, KTC3875S, KTC3875S-BL, MMBT6428, MMBTA05, PMBT6428, PMBT6429 oder SMBTA05 ersetzen.
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