Bipolartransistor BC259C

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.3 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 420 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
• Rauschzahl, max: 1.2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC259C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC259C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC259 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC259A im Bereich von 110 bis 220, die des BC259B im Bereich von 200 bis 450.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC259C ist der BC169C.Sie können den Transistor BC259C durch einen 2SA1282A, 2SA1286, 2SA1286-G, 2SA628, 2SA628-G, BC258, BC258C, MPS3638, MPS3638A, PN3638 oder PN3638A ersetzen.