Bipolartransistor BC258C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC258C

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC258C

Der BC258C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC258C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC258 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC258A im Bereich von 110 bis 220, die des BC258B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BC258C ist der BC168C.

SMD-Version des Transistors BC258C

Der BC858 (SOT-23), BC858C (SOT-23), BC858CW (SOT-323), BC858W (SOT-323), BC859 (SOT-23), BC859C (SOT-23), BC859CW (SOT-323) und BC859W (SOT-323) ist die SMD-Version des BC258C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC258C

Sie können den Transistor BC258C durch einen 2SA1287, 2SA1287-G, 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SA628, 2SA628-G, 2SA990, 2SA990E, BC257, BC257C, MPS3638, MPS3638A, PN3638 oder PN3638A ersetzen.
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