Bipolartransistor BC259

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.3 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 110 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
• Rauschzahl, max: 1.2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der BC259 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BC259 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC259A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC259B im Bereich von 200 bis 450, die des BC259C im Bereich von 420 bis 800.Der komplementäre NPN-Transistor zum BC259 ist der BC169.Sie können den Transistor BC259 durch einen 2SA628, BC258, MPS3638, MPS3638A, PN3638 oder PN3638A ersetzen.