Bipolartransistor 2SA1286-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1286-G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SA1286-G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1286-G kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1286 liegt im Bereich von 400 bis 800.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1286-G-Transistor könnte nur mit "A1286-G" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1286-G ist der 2SC3246-G.

SMD-Version des Transistors 2SA1286-G

Der 2SA1369 (SOT-89) und 2SA1369-G (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA1286-G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1286-G

Sie können den Transistor 2SA1286-G durch einen 2SA1282A ersetzen.
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