Bipolartransistor BC169C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC169C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 420 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC169C

Der BC169C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC169C kann eine Gleichstromverstärkung von 420 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC169 liegt im Bereich von 110 bis 800, die des BC169A im Bereich von 110 bis 220, die des BC169B im Bereich von 200 bis 450.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC169C ist der BC259C.

SMD-Version des Transistors BC169C

Der MMBT5089 (SOT-23) und MMBTH10 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC169C-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC169C

Sie können den Transistor BC169C durch einen 2N3390, 2N3394, 2SC1571, 2SC1842, 2SC1842E, 2SC3242A, 2SC3246, 2SC3246-G, BC168, BC168C, BC184L, BC184LC, KTC2874 oder KTC2874-B ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com