Bipolartransistor 2SA990E

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA990E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA990E

Der 2SA990E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA990E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA990 liegt im Bereich von 200 bis 800, die des 2SA990F im Bereich von 300 bis 600, die des 2SA990P im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA990E-Transistor könnte nur mit "A990E" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA990E ist der 2SC1843E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA990E

Sie können den Transistor 2SA990E durch einen 2SA1025, 2SA1025-E, 2SA1081, 2SA1081-E, 2SA1083, 2SA1083-E, 2SA1084, 2SA1084-E, 2SA1287, 2SA1287-G, 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SA991 oder 2SA991E ersetzen.
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