Bipolartransistor 2SD745A-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD745A-R

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SD745A-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD745A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD745A liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SD745A-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD745A-S im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD745A-R-Transistor könnte nur mit "D745A-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD745A-R ist der 2SB705A-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD745A-R

Sie können den Transistor 2SD745A-R durch einen 2N6341, 2N6341G, 2N6676, 2SC1585, 2SC1586, 2SC2337A, 2SC2337A-R, 2SC2428, 2SC2522A, 2SC2523, 2SD424, 2SD555, 2SD555-R, 2SD733K, 2SD733K-D, 2SD745B, 2SD745B-R, 2SD746, 2SD746-R, 2SD746A, 2SD746A-R, 2SD753, 2SD753-B, BUY69C, BUY70C, MJ15011 oder MJ15011G ersetzen.
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