Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD745B-R
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
Verlustleistung, max: 120 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2SD745B-R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD745B-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD745B liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SD745B-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD745B-S im Bereich von 40 bis 80.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD745B-R-Transistor könnte nur mit "D745B-R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD745B-R ist der 2SB705B-R.