Bipolartransistor 2SD745B
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD745B
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
- Verlustleistung, max: 120 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
- Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2SD745B
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD745B
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