Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD734-E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 25 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
Verlustleistung, max: 0.6 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SD734-E
Der 2SD734-E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD734-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD734 liegt im Bereich von 60 bis 560, die des 2SD734-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD734-F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD734-G im Bereich von 280 bis 560.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD734-E-Transistor könnte nur mit "D734-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD734-E ist der 2SB698-E.
SMD-Version des Transistors 2SD734-E
Der BC818 (SOT-23), BC818-16 (SOT-23), BC818-16W (SOT-323) und BC818W (SOT-323) ist die SMD-Version des 2SD734-E-Transistors.
