Bipolartransistor 2SD734

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD734

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.6 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 560
  • Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SD734

Der 2SD734 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD734 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD734-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD734-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD734-F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SD734-G im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD734-Transistor könnte nur mit "D734" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD734 ist der 2SB698.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD734

Sie können den Transistor 2SD734 durch einen 2SD545 ersetzen.
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